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新标题：AMD计划转向三星3纳米制程，与台积电3纳米产能被包揽的现状形成对比

关键信息概览： - AMD CEO苏姿丰透露，公司正在规划采用3纳米环绕栅极（GAA）技术生产下一代芯片。 - 3纳米GAA技术将提升芯片的效率与性能，并优化封装和互连技术，从而增强产品的成本效益和功率效率。 - 三星电子是目前唯一实现商用化的3纳米GAA芯片制造商，并于2023年成为首个在GAA架构下使用3纳米制程节点的厂商。 - AMD与三星的合作可能旨在利用3纳米GAA技术，争取在成本效益和能效方面取得竞争优势。 - 台积电已将3纳米产能全数预订给苹果、高通等大型客户，显示出其在先进制程技术领域的领先地位。

市场动态分析： - 这一合作动向预示着AMD可能与三星在3纳米节点技术上携手，有望缩小与台积电在代工市场上的份额差距。 - 长期以来，AMD与三星在GPU和高带宽内存（HBM）领域保持着紧密合作，HBM近来成为AI设备中的热门存储解决方案。 - 去年，AMD与三星签署了为期多年的合作协议，将AMD的高性能、低功耗Radeon图像锐化技术引入三星Exynos应用处理器系列，并获得HBM芯片和封装服务支持。

结论： AMD计划采用三星的3纳米GAA技术，与台积电3纳米产能被大客户包揽的现状形成鲜明对比。这一合作不仅可能推动AMD在成本效益和能效上取得进展，同时也体现了AMD与三星在技术发展与市场布局上的持续合作与创新。