三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产

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三星电子在科技前沿再度发力,推出了新一代DRAM产品,利用了12纳米制造工艺,旨在为人工智能及未来计算领域提供高效能解决方案。这款16Gb DDR5 DRAM已进入大规模生产阶段,彰显了三星电子在先进DRAM技术领域的领先地位。

三星电子内存产品与技术执行副总裁Jooyoung Lee指出,公司通过独创的差异化工艺技术,开发出了这款12纳米级DDR5 DRAM,其性能和能效均表现出色。他们的目标是满足日益增长的大量数据处理需求,通过商业化推广下一代解决方案,提升整体生产力。

与前代产品相比,新推出的12纳米级DDR5 DRAM在能耗上降低了23%,晶圆生产效率提高了20%,成为全球IT企业服务器和数据中心节能减排的理想选择。

三星电子引入了一种新型高κ材料,此材料有助于增强电池电容,使得数据信号能够更加精确地区分,从而更好地适应各企业的需求。

这款12纳米级DDR5 DRAM最高可达7.2吉比特/秒(Gbps)的速度,相当于每秒处理约两部30GB的超高清电影。未来,三星将继续研发更多12纳米级DRAM产品,以支持更广泛的使用场景,特别是数据中心、人工智能等下一代计算领域。

去年12月,三星已完成了16Gb DDR5 DRAM与AMD的兼容性测试,并承诺会持续与全球IT企业携手合作,共同推进下一代DRAM市场的技术创新。

本文来源: 图灵汇 文章作者: 胡云畅