图灵汇官网

华虹半导体有限公司近期宣告，其最新研发的第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台已正式进入量产阶段。这一平台的突破在于，相较于其前代工艺，Flash单元尺寸缩减近40%，创造了全球晶圆代工厂在90纳米工艺节点上嵌入式闪存技术的最小尺寸记录。此优化不仅令芯片的整体面积得以缩减，还显著增加了单片晶圆上的裸芯片数量，同时减少了光罩层数，从而加速了产品流片周期。

华虹公司透露，该平台的大规模稳定生产，为智能卡、交通卡等各类智能卡产品及微控制器（MCU）提供了持续稳定的供应与解决方案。据资料显示，华虹在上海金桥与张江拥有三座200毫米晶圆厂，月产能达17.5万片，同时在无锡高新技术产业开发区内规划新建一条月产能4万片的300毫米集成电路生产线。华虹执行副总裁孔蔚然指出，作为嵌入式非易失性存储器领域的领导者，公司将持续专注于200毫米晶圆的差异化技术创新，特别是针对高密度智能卡与高端微控制器市场。同时，华虹致力于在功耗与面积优化方面取得显著进展，确保200毫米现有技术优势能够顺利过渡至300毫米技术，以更好地服务于国内外的半导体芯片设计公司，满足市场日益增长的需求。